Navitas zet nieuwe standaard met 'AEC-Plus' SiC MOSFETs voor auto-industrie
Wereldwijd, maandag, 5 mei 2025.
Navitas Semiconductor introduceert de eerste ‘AEC-Plus’ gekwalificeerde SiC MOSFETs, specifiek ontworpen voor de veeleisende automotive industrie. Deze componenten overtreffen de huidige AEC-Q101 en JEDEC standaarden. De nieuwe HV-T2Pak package biedt een ongekende kruipweg van 6,45 mm. Dit verhoogt de betrouwbaarheid en efficiëntie in toepassingen zoals EV-laders, DC-DC converters en energieopslagsystemen. Met deze innovatie zet Navitas een nieuwe benchmark voor betrouwbaarheid en prestaties in de sector.
Nieuwe SiC MOSFETs voor diverse toepassingen
De nieuwe SiC MOSFETs van Navitas zijn ‘trench-assisted planar’ en beschikbaar in 650 V en 1200 V varianten [1]. Deze componenten zijn geoptimaliseerd voor gebruik in EV on-board chargers (OBC), DC-DC converters, voedingen voor datacenters, residentiële zonne-omvormers en energieopslagsystemen (ESS) [1]. Ze zijn ook geschikt voor EV DC snelladers en HVAC motor drives [1]. Navitas’ GeneSiC™ technologie biedt tot 20% lagere on-resistance tijdens bedrijf bij hoge temperaturen, vergeleken met concurrerende oplossingen [1].
AEC-Plus kwalificatie zet nieuwe norm
Navitas heeft met de ‘AEC-Plus’ kwalificatie een nieuwe industrienorm gezet [1]. Deze norm overtreft de AEC-Q101 en JEDEC standaarden en omvat dynamische reverse bias (D-HTRB) en dynamische gate switching (D-HTGB) tests [1]. Daarnaast zijn de power en temperatuur cycling tests meer dan twee keer zo lang, en de statische hoogtemperatuur, hoogspanningstests duren meer dan drie keer zo lang [1]. De componenten zijn gekwalificeerd tot een maximum junction temperatuur (TJMAX) van 200°C [1].
HV-T2Pak package details
De HV-T2Pak package heeft een compact formaat van 14 mm x 18,5 mm [1]. De package maakt gebruik van een nikkel, nikkel-fosfor (NiNiP) plating op de blootgestelde thermal pad [1]. De initiële HV-T2Pak portfolio omvat 1200 V SiC MOSFETs met on-resistance ratings van 18 mΩ tot 135 mΩ, en 650 V SiC MOSFETs met on-resistance ratings van 20 mΩ tot 55 mΩ [1]. Navitas is van plan om later in 2025 SiC MOSFETs met een nog lagere on-resistance (<15 mΩ) in HV-T2Pak package aan te kondigen [1].
Marktontwikkelingen en evenementen
De introductie van Navitas’ nieuwe SiC MOSFETs komt op een moment dat de power semiconductor industrie zich snel ontwikkelt [3]. PCIM Europe, een toonaangevende vakbeurs voor vermogenselektronica, vindt plaats van 6-8 mei 2025 in Neurenberg, Duitsland [3]. Belangrijke thema’s zijn next-gen power semiconductors, AI & digital power, en automotive elektrificatie [3]. Meer dan 500 exposanten zullen op de beursvloer aanwezig zijn [3]. Power Electronics News meldde onlangs over GaN-gebaseerde resonant gate drivers voor SiC power MOSFETs [4].